石英坩堝是一種耐溫性強(qiáng)、錦州坩堝高純度的器皿在我們生活中的使用也是比較廣泛的，它在拉單晶的時(shí)候有比較好的效果。但是很多人對(duì)產(chǎn)品的晶體中含氧量的影響不是很了解，接下來(lái)我們就一起來(lái)了解下：
　　1、單晶中氧的主要來(lái)源
　　雖然坩堝的熔點(diǎn)要高于硅料的熔點(diǎn)，但是在高溫過(guò)程中熔融的液態(tài)硅會(huì)侵蝕坩堝，錦州坩堝從而導(dǎo)致少量的氧進(jìn)入晶體內(nèi)部。在硅的熔點(diǎn)（1420℃）附近，溶硅與坩堝作用，生成SIO進(jìn)入硅溶體。然后經(jīng)過(guò)機(jī)械對(duì)流、熱對(duì)流等方式使SIO傳輸?shù)饺垠w表面，因此到達(dá)硅熔體表面的SIO以氣體形式揮發(fā)，而剩下的一小部分SIO溶解在硅液中以氧原子形態(tài)存在于液體硅中之后進(jìn)入晶體內(nèi)從而影響單晶的氧含量。
　　2、坩堝阻止氧含量釋放的措施
　　氧主要來(lái)源于石英坩堝，因此如何降低坩堝中氧的釋放則是單晶降低氧含量的重要手段，錦州坩堝而產(chǎn)品品質(zhì)的好壞直接關(guān)系到放含量的釋放程度。坩堝中氧的釋放過(guò)程實(shí)際上就是坩堝氣泡層穿透透明層向硅液中釋放氧的過(guò)程，而在坩堝內(nèi)層燒結(jié)一層 3-5mm左右的透明層，從而既保證了坩堝內(nèi)表面的純度又不致于使坩堝軟化點(diǎn)過(guò)低。因此，坩堝透明層的質(zhì)量好壞決定了坩堝氣泡的釋放程度。
　　以上就是小編與大家分享的關(guān)于石英坩堝對(duì)晶體中氧含量的影響，分別從單晶中氧的來(lái)源和坩堝阻止氧含量釋放的措施介紹了，希望可以幫助到大家在使用石英坩堝的時(shí)候能夠更加的順利。